Закрыть
Авторизация
Логин:
Пароль:

Забыли пароль?

Александр Львович Рахманов

Заведующий теоретической лабораторией ИТПЭ РАН.

Доктор физико-математических наук.

Лауреат премии правительства РФ в области науки и техники за 2012 год.

Член редколлегии журнала Письма в ЖЭТФ.

Руководитель и участник многочисленных российских и международных проектов.

Широкое международное сотрудничество. Ряд лет был на позиции part-time professor в Англии. Более 15 лет регулярно работает по программе visiting scientist в Институте физических и химических исследований (RIKEN) в Японии.

Индекс Хирша 28 по WoS

На кафедре читает годовой курс лекций «Физические основы сверхпроводимости». Цель курса – дать целостное представление о физике сверхпроводников, начиная с базовых понятий до проблем, которые стоят перед современной физикой этого явления, таких как топологическая сверхпроводимость и высокотемпературная сверхпроводимость.

Кроме того, с 2020 года начинает читать полугодовой курс лекций «Топологические эффекты в современной физике твёрдого тела» в НЦМУ МФТИ «Новые квантовые материалы». Цель курса – введение в одну из наиболее «горячих» проблем современной физики конденсированного состояния, физику электронных систем с нетривиальными топологическими свойствами, к которым относятся графен и ряд других двумерных материалов, топологические изоляторы и сверхпроводники, вейлевские полуметаллы и другие, важные для современной науки материалы.

Предлагаемая для студентов тематика работы связана с проблемами квантовой физики конденсированного состояния, включая физику сильно коррелированных электронных систем, физику графена, физику топологических изоляторов и сверхпроводников.

Дипломники и аспиранты всегда защищаются в срок, имеют публикации в журналах первого квартиля и получают работу в престижных российских исследовательских центрах или за рубежом.

 

Основные статьи за 2016-2019 гг.

1. R.S. Akzyanov, AL Rakhmanov, Bulk and surface spin conductivity in topological insulators with hexagonal warping, Physical Review B 99, 045436 (2019).

2. R. S. Akzyanov and A. L. Rakhmanov, Surface charge conductivity of a topological insulator in a magnetic field: The effect of hexagonal warping, Physical Review B 97, 075421 (2018).

3. A.O. Sboychakov, A.V. Rozhkov, A.L. Rakhmanov, and F. Nori, Externally controlled magnetism and band gap in twisted bilayer graphene, Physical Review Letters 120, 266402 (2018).

4. K. S. Mosoyan, A. V. Rozhkov, A. O. Sboychakov, and A. L. Rakhmanov, Spin-density wave state in simple hexagonal graphite, Physical Review B 97, 075131 (2018).

5. D.A. Khokhlov, A.L. Rakhmanov, and A.V. Rozhkov, Scattering on a rectangular potential barrier in nodal-line Weyl semimetals, Physical Review B 97, 235418 (2018).

6. A.L. Rakhmanov, A.O. Sboychakov, K.I. Kugel, A.V. Rozhkov, and F. Nori, Spin-valley half-metal in systems with Fermi surface nesting, Physical Review B 98, 155141 (2018).

7. A.O. Sboychakov, A.L. Rakhmanov, K.I. Kugel, A.V. Rozhkov, and F. Nori, Magnetic field effects in electron systems with imperfect nesting, Physical Review B 95, 014203 (2017).

8. A.V. Rozhkov, A.O. Sboychakov, A.L. Rakhmanov, and F. Nori, Single-electron gap in the spectrum of twisted bilayer graphene, Physical Review B 95, 045119 (2017).

9. R.S. Akzyanov and A.L. Rakhmanov, Majorana states in 2D topological superconductor hosting Abrikosov vortices, Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 30, 3071 (2017).

10. А.Л.Рахманов, К.И.Кугель, М.Ю.Каган, А.В.Рожков, А.О.Сбойчаков, Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом, Письма в ЖЭТФ, 105, с. 768 (2017).

11. A.V. Rozhkov, A.L. Rakhmanov, A.O. Sboychakov, K.I. Kugel, and F. Nori, Spin-valley half-metal as a prospective material for spin valleytronics, Physical Review Letters 119, 107601 (2017).

12. A.V. Rozhkov, A.O. Sboychakov, A.L. Rakhmanov, Franco Nori, Electronic properties of graphene-based bilayer systems (review paper), Physics Reports, 648, 1-104 (2016).

13. A.O. Sboychakov, A.L. Rakhmanov, A.V. Rozhkov, F. Nori, Electronic spectrum of twisted bilayer graphene, Physical Review B, 92, 075402 (2015).