07 июля 2026 г. в 12:00 состоится семинар лаборатории Теоретической электродинамики конденсированного состояния ИТПЭ РАН (под рук. д.ф.-м.н. А.Л. Рахманова)
Адрес: ул. Красноказарменная, 17а (фактически находится на ул. Лапина, 17а), комн. 513
Автор доклада: Цветкова А.В. (ВНИИА им. Духова)
Язык доклада: русский
Тема:
Электронные транспортные свойства и температура сверхпроводящего фазового перехода в соединении с волной зарядовой плотности и неидеальным нестингом
Аннотация:
В данной работе в рамках двумерной модели сильной связи изучено влияние неидеального нестинга на электронные свойства системы с волной зарядовой плотности (ВЗП). Описываемая модель отражает основные особенности квазиодномерных металлов с ВЗП. Показано, что присутствие ВЗП с неидеальным нестингом приводит к появлению необычных сингулярностей в квазичастичной плотности состояний и к степенной перенормировке критической температуры сверхпроводника. Результаты получены при произвольной величине нарушения нестинга. Также в широком температурном диапазоне, включающем фазовый переход ВЗП, проведен расчет тензора проводимости, результаты которого демонстрируют удовлетворительное согласие с экспериментальными данными по редкоземельным трихалькогенидам и многим другим материалам на основе ВЗП.
Подробности описаны в работе: Tsvetkova, A. V., Ya I. Rodionov, and P. D. Grigoriev, Physical Review B, 111.20, 2025, 205141.